Ещё из раздела
- 43TR82560D125KBLIT IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- MX60LF8G18AC-XKI IC: память FLASH; 20нс; VFBGA63; параллельный
- MX25L51245GML-10G IC: память FLASH; 512Мб; 166МГц; 2,7÷3,6В; SOP16; последовательный
- 42S32160F-6BL IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90; 0÷70°C; parallel
- X29GL512GUXFI11GTR IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- 43LR16320C-6BLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- 45S16400J-7TLA1-TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- MX25R1635FM2IH2/TR IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; SOP8
- MX25U25645GBFI00TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- 45S16800F-7TLA2-TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- MX25L3206EZUI-12G IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- NLP12836B200TQLITR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- 42VM32800K-6BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- 25LP512M-RHLE-TR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- NV25160DTHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 2Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- WV5128EBLL45HLITR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; STSOP32; параллельный
- 25LP256D-JLLA3-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 42S32800J-6BLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- MX25U3235FZBI10GTR IC: память FLASH; 32Мб; QPI,SPI; 4Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- 25WP128F-JLLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- MX25U12832FZNJ02TR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- 25LE512M-RMLE-TR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- MX25R6435FBFIL0/TR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; WLCSP22
- WV51216EBLL45BLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию