Ещё из раздела
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
- 4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C64M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; бобина
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2871 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 76 ₽
- 25 шт. — 74 ₽
- 100 шт. — 70 ₽
76 ₽
В корзину
Доступно 2 871 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2869 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 65 ₽
- 100 шт. — 58 ₽
65 ₽
В корзину
Доступно 2 869 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2856 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 107 ₽
- 2500 шт. — 96 ₽
107 ₽
В корзину
Доступно 2 856 шт.
- 2854 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 781 ₽
- 10 шт. — 730 ₽
- 25 шт. — 708 ₽
- 50 шт. — 692 ₽
- 100 шт. — 676 ₽
781 ₽
В корзину
Доступно 2 854 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2843 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 108 ₽
- 10 шт. — 108 ₽
108 ₽
В корзину
Доступно 2 843 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2838 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 206 ₽
- 25 шт. — 202 ₽
206 ₽
В корзину
Доступно 2 838 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 2835 шт. — 4 недели
- 397 шт. — 31.3 ₽
- 500 шт. — 29.6 ₽
- 1000 шт. — 28 ₽
31.3 ₽
В корзину
Доступно 2 835 шт.
от 397 шт. и кратно 397
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2832 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 370 ₽
- 2500 шт. — 96 ₽
1 370 ₽
В корзину
Доступно 2 832 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 2829 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 475 ₽
- 10 шт. — 1 458 ₽
- 25 шт. — 1 413 ₽
- 50 шт. — 1 381 ₽
- 100 шт. — 1 346 ₽
1 475 ₽
В корзину
Доступно 2 829 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 2815 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 4 310 ₽
- 10 шт. — 3 995 ₽
- 25 шт. — 3 869 ₽
- 50 шт. — 3 774 ₽
- 108 шт. — 3 670 ₽
4 310 ₽
В корзину
Доступно 2 815 шт.
- 2814 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 323 ₽
- 10 шт. — 181 ₽
- 25 шт. — 104 ₽
- 100 шт. — 64 ₽
- 2500 шт. — 46 ₽
1 323 ₽
В корзину
Доступно 2 814 шт.
STMicroelectronics
- 2807 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 40 ₽
- 250 шт. — 34 ₽
- 1000 шт. — 30 ₽
40 ₽
В корзину
Доступно 2 807 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2804 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 137 ₽
- 10 шт. — 137 ₽
- 25 шт. — 136 ₽
137 ₽
В корзину
Доступно 2 804 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 2796 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 141 ₽
- 25 шт. — 136 ₽
- 100 шт. — 130 ₽
141 ₽
В корзину
Доступно 2 796 шт.