Ещё из раздела
- MX25V80066M2I02TB IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 6TR16128CL125KBLA1 IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 42S16400J-7BL IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- MX29GL512FLXFI-11G IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- NLP6432A200TQLI IC: SRAM memory; 64kx32bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- WV102416EDBLL10TLT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- MX25R1635FM2IH2TB IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; SOP8
- CAT25128VP2I-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TDFN8
- 29GL032-70BLED-TR IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; TFBGA48; параллельный
- CAT24C16C5ATR IC: память EEPROM; I2C; 2048x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP5
- NV24C32UVLT2G IC: память EEPROM; I2C; 4Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; US8; бобина,лента
- 45S32200L-7TLA1-TR IC: память DRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- WV51216BLL10MLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- WV102416ALL35TLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 1,65÷2,2В; 35нс; TSOP48; параллельный
- LF51218A7.5TQLI IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- 25WP256E-RHLE IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; TFBGA24
- M93C66-RMC6TG IC: память EEPROM; Microwire; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 2МГц; UFDFPN8
- DDB21M18C250M3L IC: память SRAM; 1Mx18бит; 1,8В; LFBGA165; параллельный; 0÷70°C
- 43R16160F-5BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TFBGA60; -40÷85°C; 2,5ВDC
- 42S32800J-7TLI IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- AS6CE4016B-45BIN IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TFBGA48; лоток
- NLP25636B200TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- WV1M16EBLL70BLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,5÷3,6В; 70нс; TFBGA48; параллельный
- WV51216EDBLL10BLAT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию