Ещё из раздела
- 24C65-I/SM IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷6В; 400кГц; SO8
- 24FC1025-I/P IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; DIP8
- 24FC1025-I/SM IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; SO8
- 24FC1025-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; SO8
- 24FC1026-I/P IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 1МГц; DIP8
- AT25DF512C-XMHNGUB IC: память FLASH; 512kб; Dual-Output Read,SPI; 104МГц; 1,65÷3,6В
- AT25DF512C-XMHNGUT IC: память FLASH; 512кб; Dual-Output Read,SPI; 104МГц; 1,65÷3,6В
- AT25DF512C-XMHNT IC: память FLASH; 512кб; Dual-Output Read,SPI; 104МГц; 1,65÷3,6В
- AT25DF641A-MHT IC: память FLASH; 64Мб; 100МГц; 2,7÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT25DF641A-MHY IC: память FLASH; 64Мб; 100МГц; 2,7÷3,6В; uDFN8; последовательный
- AT25DF641A-SHB IC: память FLASH; 64Мб; 100МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W; последовательный
- AT25DF641A-SHT IC: память FLASH; 64Mб; 100МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W; последовательный
- AT25DL081-MHNT IC: память FLASH; 8Мб; 100МГц; 1,65÷1,95В; uDFN8; последовательный
- AT25DL081-MHNY IC: память FLASH; 8Мб; 100МГц; 1,65÷1,95В; uDFN8; последовательный
- AT25DL081-SSHNB IC: память FLASH; 8Мб; 100МГц; 1,65÷1,95В; SO8; последовательный
- AT25DL081-SSHNT IC: память FLASH; 8Мб; 100МГц; 1,65÷1,95В; SO8; последовательный
- AT25DL081-UUNT Память FLASH; 8Мбит; 100МГц; 1,65÷1,95В; dBGA8; последовательный
- AT25DL161-MHNT IC: память FLASH; 16Мб; 100МГц; 1,65÷1,95В; uDFN8; STANDARD
- AT25DL161-MHNY IC: память FLASH; 16Mб; 100МГц; 1,65÷1,95В; uDFN8; STANDARD; лоток
- AT25DL161-SSHNB IC: память FLASH; 16Mб; 100МГц; 1,65÷1,95В; SO8; последовательный
- AT25DL161-SSHNT IC: память FLASH; 16Мб; 100МГц; 1,65÷1,95В; SO8; последовательный
- AT25DL161-UUNT Память FLASH; 16Мбит; 100МГц; 1,65÷1,95В; dBGA8; последовательный
- AT25DN011-MAHFGPT Память FLASH; 1Мбит; Dual-Output Read,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В
- AT25DN011-MAHFT IC: память FLASH; 1Mб; Dual-Output Read,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В
Памяти - микросхемы
11 623 позиции