Ещё из раздела
- MX66L1G45GMJ08GTB IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- 25LP010E-JNLE IC: память FLASH; 1Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8; лоток,туба
- 42SM16160K-75BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- MX66U1G45GMI00/TR IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 1,65÷2В
- MX25U51245GXDI54TY IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- MX25L1633EZNI-10G IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 42S16160J-6BL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 43LD32320C-18BLITR IC: память DRAM; 4Mx16битx8; 533МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
- 43DR16320E25DBLITR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- N64S818HAT21I IC: память SRAM; 8Кx8бит; 1,7÷1,95В; TSSOP8; -40÷85°C
- MX25L25645GZNI-10G IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- CAV24C08WE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 1024x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- X29GL128FDT2I90GTR IC: память FLASH; 90нс; TSOP56; параллельный
- CAT24C08TDI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; TSOT23-5
- LPS25636A200B3LITR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; BGA165; parallel
- MX35LF4G24AD-Z4ITR IC: память FLASH; 4Гб; 120МГц; 2,7÷3,6В; WSON8; последовательный
- MX25L6433FZNI08GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- MX25L12845EMI10GTR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- MX25L6436EM2I-10G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- WV2568BLL55BLITR IC: память SRAM; 262кx8битов; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA36; -40÷85°C
- MX77L25650FZ4I42TR IC: память FLASH; 256Мб; SPI; 120МГц; 2,7÷3,6В; SOP16,WSON8
- MX25U4033EZNI-12G IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 1Mx4ит; 80МГц; 1,65÷2В; WSON8
- CAT25040VI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SOIC8
- CAV24C128WE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; SOIC8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию