Ещё из раздела
- 43TR16128C-15HBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 46DR16160B25DBLA1T IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷85°C
- 25WP016D-JNLE-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В
- AS4C1G16D4-062BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1600МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- X29GL512GLXFI10QTR IC: память FLASH; 100нс; LFBGA64; параллельный
- 42S16160J-6BL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 45S16160J-7TLA1 IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- WV25616BLL10CTLA3T IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- X25U25635FBBI10GTR IC: память FLASH; 256Мб; QPI,SPI; 32Mx8бит; 108МГц; 1,65÷2В
- M24C04-RDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- MX25L1635EM2I-10G IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 108МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- MX30LF2G18ACXKJTY IC: память FLASH; 20нс; VFBGA63; параллельный
- WV10248EBLL45BLI IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; VFBGA48; параллельный
- WV51232BLL10BLITR IC: SRAM memory; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90; parallel
- MX25R6435FZNIL0 IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; WSON8
- MX25U3232FBHI02/TR IC: память FLASH; 32Мб; QPI,SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; WLCSP12
- X29GL128FHXFI70GTR IC: память FLASH; 70нс; LFBGA64; параллельный
- CAT25320YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 4Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- 43TR16512BL125KBLI IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- N01S830BAT22IT IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; TSSOP8; -40÷85°C
- MX25R8035FM1IL0/TR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; SOP8
- X25UM25645GXDI00TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,SPI; 32Mx8бит; 200МГц; 1,65÷2В; BGA24
- WV25616EALL55BLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 1,65÷2,2В; 55нс; VFBGA48; -40÷85°C
- LPS25618A200TQLI IC: SRAM memory; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию