Ещё из раздела
- X29GL512FLXGI10QTR IC: память FLASH; 100нс; FBGA56; параллельный
- 25LP128F-RHLE IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- WV5128EBLL45T2LITR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32 II; -40÷85°C
- MX25L8006EZNI12GTR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- MX25R512FZUIH1/TR IC: память FLASH; 512кб; SPI; 64Кx8бит; 108МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV102416BLL25TLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 25нс; TSOP48; параллельный
- 42S32400F-7BL IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 42SM32400H-6BLI-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- WV12816BLL55BLA3 IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; miniBGA48; -40÷125°C
- 42S16320F-6TL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- MX25V2006EM1I-13G IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 75МГц; 2,35÷3,6В; SOP8
- M95M02-DRCS6TP/K IC: память EEPROM; SPI; 256Кx8бит; 1,8÷5,5В; 5МГц; WLCSP8
- MX25U1633FZUI/TR IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 80МГц; 1,65÷2В; USON8
- 43R16160F-6TL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- MX25V1006FM1I/TR IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 42S32800J-7BL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- 25WP080D-JULE-TR IC: память FLASH; 8Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; USON8
- MX25R6435FZAIH0 IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV51216GBLL45TLITR IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP48; параллельный
- LPS12832A200TQLA3 IC: SRAM memory; 128kx32bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- MX25V1035FM1I IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 42SM32400H-75BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- NLP25636B200B3LI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165; parallel
- 25LC256-I/ST IC: память EEPROM; SPI; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию