Ещё из раздела
- MX35LF4G24ADZ4ITY IC: память FLASH; 4Гб; 120МГц; 2,7÷3,6В; WSON8; последовательный
- 46LR32160C-6BLA2 IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷105°C
- WV204816BLL10BLITR IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 43TR16128D-125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- NV25320DWHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 4Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- WVS1288FBLL20NLI IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,2÷3,6В; SO8; -40÷85°C; лоток,туба
- 42S16800F-6BL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- N84C163WD45TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷6В; 400кГц; SOIC8
- 46LR32160C-6BLA2TR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷105°C
- 43DR16320E-25DBL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; 0÷85°C
- MX68GL1G0FUXFI-12G IC: память FLASH; 120нс; LFBGA64; параллельный
- WV10248EDBLL10CTLT IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- MX30LF2G18AC-TI/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- N24RF64EDTPT3G IC: EEPROM memory; I2C,RF; 8kx8bit/2kx32bit; 1.8÷5.5V; 1MHz
- NLP51218B200TQLITR IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- MX25L6445EMI-10GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- MX25L6433FZ2I08GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- 43DR16128C-3DBL IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; 0÷85°C
- 45S16320F-7TLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 42S16320F-6BL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TWBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- CAV24C128YE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- MX25R4035FZUIH1/TR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 512Кx8бит; 108МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV6416BLL12KLITR IC: память SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; SOJ44; параллельный
- X29GL256FUXFI11GTR IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию