Ещё из раздела
- CAV24C08WE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 1024x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- X29GL128FDT2I90GTR IC: память FLASH; 90нс; TSOP56; параллельный
- CAT24C08TDI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; TSOT23-5
- LPS25636A200B3LITR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; BGA165; parallel
- MX35LF4G24AD-Z4ITR IC: память FLASH; 4Гб; 120МГц; 2,7÷3,6В; WSON8; последовательный
- MX25L6433FZNI08GTR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- MX25L12845EMI10GTR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- MX25L6436EM2I-10G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- WV2568BLL55BLITR IC: память SRAM; 262кx8битов; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA36; -40÷85°C
- MX77L25650FZ4I42TR IC: память FLASH; 256Мб; SPI; 120МГц; 2,7÷3,6В; SOP16,WSON8
- MX25U4033EZNI-12G IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 1Mx4ит; 80МГц; 1,65÷2В; WSON8
- CAT25040VI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; SOIC8
- CAV24C128WE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; SOIC8
- 46DR16640C-3DBLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷105°C
- MX66L1G45GMJ-08GTR IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- MX25V1035FM1I/TR IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- MX29GL320EBXEI-70G IC: память FLASH; 70нс; LFBGA48; параллельный
- 6TR16128CL125KBLA2 IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷105°C
- MX25L3206EZUI12GTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- MX25L1606EMI-12GTR IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
- 43R16160F-5TL IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; 0÷70°C; 2,5ВDC
- MX66L1G45GXDJ10GTR IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- MX25L25645GMI-10G IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- MX25V1006EOI-13GTR IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 75МГц; 2,35÷3,6В; TSSOP8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию