Ещё из раздела
- GD25Q16ESIGR IC: память FLASH; 16Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- GD25Q32ESIGR IC: память FLASH; 32Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- GD25Q80ETIGR IC: память FLASH; 8Mб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- 24FC08-I/P IC: память EEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; DIP8
- 24FC08-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
- 24FC08-I/ST IC: память EEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- 24FC16-I/P IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; DIP8
- 24FC16-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
- 24FC16-I/ST IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- 24FC16H-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
- GD25Q128EYIGR IC: память FLASH; 128Мб; Quad I/O,SPI; 120МГц; 1,65÷2В; WSON8
- GD25Q16EEIGR IC: память FLASH; 16Мб; Quad I/O,SPI; 133МГц; 2,7÷3,6В; USON8
- MX25L6445EM2I-10G IC: память FLASH; 64Mб; SPI; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- 24AA025E64T-I/SN IC: память EEPROM; I2C; 2x128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SO8
- 24LC04B-I/P IC: память EEPROM; I2C; 2x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; PDIP8
- 24LC64T-I/SM IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400Гц; SO8
- RMLV0816BGSB4S2AA IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TSOP44 II; -40÷85°C
- AT25SF321B-SHB-T IC: память FLASH; 32Mб; 108МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- AS25F1128MQ70SINTR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SOP8
- AS25F1128MQ-70SIN IC: память FLASH; 128Mб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SOP8
- AS25F1128MQ-70WIN IC: память FLASH; 128Mб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- AS25F1128MQ70WINTR IC: память FLASH; 128Мб; SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- MR2A16AYS35 IC: память; MRAM; 256Кx16бит; 4Mб; TSOP44 II; параллельный; SMD
- MR25H256CDC IC: память; MRAM; SPI; 32Кx8бит; 256кб; DFN8; последовательный; SMD
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию