Ещё из раздела
- AT28LV010-20TU-630 IC: память EEPROM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; TSOP28; параллельный; 200нс
- 25LF020A-33SAE IC: память FLASH; 2Mб; SPI; 33МГц; 3÷3,6В; SO8; последовательный
- 25PF020B-80CQAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 25PF020B-80CSAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,3÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF010A-33SAE IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF020B-80QAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 25VF020B-80SAE IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF020B80QAET IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 25VF020B80SAET IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8; последовательный
- 25VF040B-50S2AE IC: память FLASH; 4Mб; SPI; 50МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 25VF512A-33CSAE IC: память FLASH; 512кб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- 25VF512A-33SAE IC: память FLASH; 512кб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- 25VF512A33QAET IC: память FLASH; 512kб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 25VF512A33SAET IC: память FLASH; 512кб; SPI; 33МГц; 2,7÷3,6В; SO8
- 25WF040B-40I/SN IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 40МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 25WF080B-40I/SN IC: память FLASH; 8Mб; SPI; 40МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 26VF016-80QAE IC: память FLASH; 16Мб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF016-80S2AE IC: память FLASH; 16Mб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF01680QAET IC: память FLASH; 16Мб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- 26VF01680S2AET IC: память FLASH; 16Мб; SQI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SO8-W
- 26VF016B-104I/MF IC: память FLASH; 16Мб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,7÷3,6В; TDFN8
- AS7C1024C-12TJIN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ32; параллельный
- AS7C1024C-12TJINTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ32; параллельный; 300mils
- AS7C1025B-10TJCN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 10нс; SOJ32; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию