Ещё из раздела
- AT45DB041E-SSHNHCT IC: память FLASH; 4Mб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-SSHNHTB IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8; туба
- AT45DB041E-SSHNHTT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB041E-SSHNT IC: память FLASH; 4Мб; SPI / RapidS; 85МГц; 1,65÷3,6В; SO8
- AT45DB081E-MHN-Y IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8; лоток
- AT45DB081E-MHN2BT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB081E-MHNT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; uDFN8
- AT45DB081E-SHN-B IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W; туба
- AT45DB081E-SHN2BT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SHNHAT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SHNHCT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SHNT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8-W
- AT45DB081E-SSHN-B IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8; туба
- AT45DB081E-SSHN2BT IC: память FLASH; 8Мб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8
- AT45DB081E-SSHNHAT IC: память FLASH; 8Mб; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7÷3,6В; SO8
- AS7C34096A-20JINTR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 20нс; SOJ36; параллельный
- AS7C34096A-20TCN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 20нс; TSOP44 II; параллельный
- AS7C34096A-20TCNTR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP44 II; параллельный
- AS7C34096A-20TIN IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 20нс; TSOP44 II; параллельный
- AS7C34096A-20TINTR IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP44 II; параллельный
- AS7C34098A-10BIN IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; BGA48; параллельный
- AS7C34098A-10BINTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; BGA48; параллельный
- AS7C34098A-10JCNTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; SOJ36; параллельный
- AS7C34098A-10JIN IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; SOJ36; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию