Ещё из раздела
- 25LP256D-RMLE-TR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- 29GL256-70DLEB-TR IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64; параллельный
- MX25L25673GZNI-08G IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- WV25616BLL10BLA3TR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 25WP064D-JBLE IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- CAV24C64YE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; TSSOP8
- 43LD32128B-25BPLI IC: DRAM memory; 16Mx32bitx8; 400MHz; 18ns; TFBGA168; -40÷85°C
- MX25U1633FM2I/TUBE IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 80МГц; 1,65÷2В; SOP8
- MX25U25635FZ2I-10G IC: память FLASH; 256Мб; QPI,SPI; 32Mx8бит; 108МГц; 1,65÷2В; WSON8
- X29GL512FHXFI11GTR IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- M24C04-RMC6TG IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; UFDFPN8
- MX25R2035FZUIH0/TR IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 256Кx8бит; 108МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- CAV25256VE-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SOIC8
- LF51218A7.5TQLITR IC: SRAM memory; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100; parallel
- 43TR16256BL-125KBL IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- MX66L1G45GMI-10GTR IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 128Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- 42SM32160E-75BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
- WV12816DBLL12CTLA3 IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 12нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- LPS25636A166TQLA3 IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel
- 42S32400F-7BLI IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TFBGA90; -40÷85°C
- MX25L3235EM2I10GTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- MX29GL512FHXFI-10Q IC: память FLASH; 100нс; LFBGA64; параллельный
- 29GL128-70SLEB-TR IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; TSOP56; параллельный
- 42S16160J-7TLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию