Ещё из раздела
- MX35UF2G14AC-Z4I IC: память FLASH; 2Гб; 104МГц; 1,7÷1,95В; WSON8; последовательный
- MX25R1035FZUIL0/TR IC: память FLASH; 1Мб; SPI; 128Кx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- MX25L25645GMI10GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- M24512-DFDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- 46DR16320E-25DBLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- MX29GL256FUXFI-11G IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- M95M01-DFMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 16МГц; SO8
- M95M04-DRDW6TP IC: память EEPROM; SPI; 512Кx8бит; 1,8÷5,5В; TSSOP8
- M24512-DFMN6TP IC: память EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
- M24C64X-FCU6T/TF IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; WLCSP4
- M24128-DFDW6TP IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- 43DR86400E-3DBLI IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA60; -40÷85°C
- MX25U25645GXDI54TY IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 166МГц; 1,65÷2В
- X25L25635FZ2I10GTR IC: память FLASH; 256Мб; QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- X25L12872FZNI10GTR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- MX25V2033FM1I/TR IC: память FLASH; 2Мб; SPI; 256Кx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- MX25L3233FZNI08GTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 2,65÷3,6В; WSON8
- MX25R3235FBDIL0/TR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 33МГц; 1,65÷3,6В; WLCSP12
- 43LR16800G-6BLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60; -40÷85°C
- MX30UF2G18AC-TI/TR IC: память FLASH; 25нс; TSOP48; параллельный
- WV2568EDBLL10BLI IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36; параллельный
- MX29LV400CTXEI-70G IC: память FLASH; 70нс; LFBGA48; параллельный
- WVE2M16ECLL70BLI IC: память SRAM; 2Mx16бит; 1,7÷1,95/2,7÷3,6В; 70нс; TFBGA48
- 25WP016D-JULE-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; USON8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию