Ещё из раздела
- MX25L8006EZNI-12G IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 11AA010-I/MS IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; MSOP8
- WV5128EDBLL10BLI IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA36; параллельный
- MX66L2G45GXRI00 IC: память FLASH; 2Гб; DTR,QPI,SPI; 256Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- 43DR16128C-3DBLITR IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- N25S830HAS22I IC: память SRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; SOIC8; -40÷85°C
- 25LP128F-RMLA3-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; SO16
- MX30LF1G18AC-TJ/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- MX25L12845GM2I-10G IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- MX25L51245GMJ10GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- MX25U6435FZNI10GTR IC: память FLASH; 64Мб; QPI,SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- MX25L51245GMI10GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- 25LP256E-JLLE IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- AS7C1026B-15TINTR IC: память SRAM; 16Кx8бит; 5В; 15нс; TSOP44 II
- 46DR16640C-25DBLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA84; -40÷105°C
- MX30LF2G28ADXKITY IC: память FLASH; 2Гб; 20нс; 2,7÷3,6В; VFBGA63; параллельный
- MX25U12872FM2I02TB IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; SOP8
- LPS12836A200TQLI IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel
- NV24C32DTVLT3G IC: память EEPROM; I2C; 4Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
- CC9094S Button memory reader; Assoc.circ: DS1920-F5,DS1990A-F5+
- MX25L25673GMI10GTY IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- MX25L25645GZNI-08G IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- MX25L6473EM2I-10G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP8
- 43TR16256B-125KBLI IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию