Ещё из раздела
- 26VF032BEUI-104ISM IC: память FLASH; 32Mб; SDI,SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF040A-104I/MF IC: память FLASH; 4Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF040A-104I/SN IC: память FLASH; 4Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF040A-80E/MF IC: память FLASH; 4Mб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF040A-80E/SN IC: память FLASH; 4Mб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF040AT-104I/MF IC: память FLASH; 4Mб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF040AT-104I/SN IC: память FLASH; 4Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF040AT-80E/MF IC: память FLASH; 4Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF040AT-80E/SN IC: память FLASH; 4Mб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF080A-104I/MF IC: память FLASH; 8Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF080A-104I/SN IC: память FLASH; 8Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF080A-80E/MF IC: память FLASH; 8Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF080A-80E/SN IC: память FLASH; 8Mб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF080AT-104I/MF IC: память FLASH; 8Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF080AT-104I/SN IC: память FLASH; 8Mб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 26VF080AT-80E/MF IC: память FLASH; 8Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8
- 26VF080AT-80E/SN IC: память FLASH; 8Мб; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- 47L64-I/SN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
- 48L256-I/SN IC: память SRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 66МГц; SO8; -40÷85°C
- 48L512-I/SN IC: память SRAM; 64Кx8бит; 2,7÷3,6В; 66МГц; SO8; -40÷85°C
- 48L640-I/SN IC: память SRAM; 8Кx8бит; 2,7÷3,6В; 66МГц; SO8; -40÷85°C
- 48LM01-I/SM IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷3,6В; 66МГц; SO8; -40÷85°C
- 4C512M4D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx4бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS29CF010-55CCIN IC: память FLASH; 128Кx8бит; 55нс; PLCC32; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию