Ещё из раздела
- M93C56-WMN6P IC: память EEPROM; Microwire; 256x8бит; 2,5÷5,5В; SO8
- M93C66-WMN6P Память EEPROM; Microwire; 512x8бит; 2,5?5,5В; SO8
- M93C86-WMN6P Память EEPROM; Microwire; 2Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8
- M93S46-WMN6P IC: память EEPROM; Microwire; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M93S66-WMN6P IC: память EEPROM; Microwire; 256x16бит; 2,5÷5,5В; SO8
- M95010-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95020-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95040-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95080-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 1Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95128-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95128-WMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; SO8; последовательный; туба
- M95160-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 2Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SO8; 2,5÷5,5ВDC
- M95160-WMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 2Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95256-WMN6P Память EEPROM; SPI; 32Кx8бит; 2,5?5,5В; SO8; последовательный
- M95512-WMN6P IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- M95640-WMN6P Память EEPROM; SPI; 8Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8; последовательный
- PCA9501D Память EEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5?3,6В; SO20; последовательный
- PCF8594C-2T/02 Память; EEPROM; I2C; 512x8бит; 2,5?6В; SO8
- RM24C128DS-LSNIB Память; EEPROM; I2C; 1,65?3,6В; 1МГц; SO8; Упаковка: туба; CBRAM®
- RM24C128DS-LTAIB Память; EEPROM; I2C; 1,65?3,6В; 1МГц; TSSOP8; Упаковка: туба; CBRAM®
- RM24C256C-LSNIB Память; EEPROM; I2C; 1,65?3,6В; 1МГц; SO8; Упаковка: туба; CBRAM®
- RM24C256C-LTAIB Память; EEPROM; I2C; 1,65?3,6В; 1МГц; TSSOP8; Упаковка: туба; CBRAM®
- RM24C256DS-LSNIB Память; EEPROM; I2C; 1,65?3,6В; 1МГц; SO8; Упаковка: туба; CBRAM®
- RM24C256DS-LTAIB Память; EEPROM; I2C; 1,65?3,6В; 1МГц; TSSOP8; Упаковка: туба; CBRAM®
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию