Ещё из раздела
- 25LP016D-JLLE IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- MX25U1635FZUI10GTR IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; USON8
- NV24C256MUW3VTBG IC: память EEPROM; I2C; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- WV102416EDBLL10BLI IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- CAV25020YE-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- 25LP016D-JULE-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- CAT24S128C4UTR IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; WLCSP4
- CAV25128YE-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 16Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- NLF25636B7.5TQLITR IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
- 43TR16128D-125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- WV1M16EBLL55BLITR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,5÷3,6В; 55нс; TFBGA48; параллельный
- 34MW02G084-BLI IC: память FLASH; parallel 8bit; VFBGA63; параллельный
- 45S32400F-6BLA2-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷105°C
- WV25616EALL55TLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 1,65÷2,2В; 55нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- 25LP032D-JNLA3 IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; SO8
- WV204816BLL10TLI IC: память SRAM; 2Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- AS7C1026B-20TINTR IC: память SRAM; 16Кx8бит; 5В; 20нс; TSOP44 II
- CAT24C64HU4I-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 8Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- LV25616AL10BLI IC: память SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 10нс; miniBGA48; параллельный
- 25WP064A-JKLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; WSON8
- WV5128EDBLL10CTLA3 IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- X29GL128FHXFI90GTR IC: память FLASH; 90нс; LFBGA64; параллельный
- CAT24C208WI-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 4x256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- 45S16320F-6TLA1 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию