Ещё из раздела
- 42S16160J-7TLI-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- NLP25636A200TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
- WVH16M8DALL166B1LI IC: память SRAM; 16Mx8бит; 1,7÷1,95В; TFBGA24; параллельный
- 45S16320F-6TLA1-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 45S16400J-7CTLA2TR IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- X25L25645GM2I10GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- 25LP080D-JULE-TR IC: память FLASH; 8Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- MX25R6435FZAIH0/TR IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 8Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; USON8
- WV12816EDBLL10TLIT IC: память SRAM; 128Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷85°C
- M95160-DFMC6TG IC: память EEPROM; SPI; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; UFDFPN8
- 43TR16640CL125JBLI IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96; -40÷95°C
- X25L51245GZ2I08GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 2,7÷3,6В
- M95512-DFMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 16МГц; SO8
- 42S32160F-7TLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- VPS25636A200TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 2.5V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- WV102416DBLL10TLIT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- 42S86400F-7TL IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- MX25L25645GZ2I-10G IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- X25L25645GZNI08GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- MX25U51245GXDI00 IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- 25LP512M-JLLE IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 42S32800J-6TL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- WV10248EDBLL10BLA3 IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- NLP51236B200B3LITR IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию