Ещё из раздела
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
- 4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C64M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; бобина
- 4C64M8D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C64M8D3L-12BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C8M32MD2A-25BCNTR IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C8M32MD2A-25BPCN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; -25÷85°C; лоток
- 62WVS2568FBLL20NLI IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,2÷3,6В; SO8; -40÷85°C
- 7C1024B-15TJINTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ32; 300mils
- 7C1024B-20TJINTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 20нс; SOJ32; 300mils
- 7C316096A-10TINTR IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TSOP48
- 7C316096B-10BINTR IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TFBGA48
- 7C316096B-10TINTR IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TSOP54 II; 400mils
- 7C316096C-10BINTR IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TFBGA48
- 7C316096C-10TINTR IC: память SRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; 400mils
- 7C316098A-10BINTR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TFBGA48
- 7C316098A-10TINTR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TSOP48
- 7C316098B-10TINTR IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TSOP54 II; 400mils
- AS4C128M8D1-6TINTR IC: память DRAM; 128Мx8бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- AS4C128M8D3B-12BAN IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- AS4C16M16D1-5BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; бобина
- AS4C16M16D1-5BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; бобина
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию