Ещё из раздела
- 47C04-I/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
- 47C04-I/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; -40÷85°C
- 47C16-I/P IC: память SRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
- 47C16-I/SN IC: память SRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
- 47C16-I/ST IC: память SRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; TSSOP8; -40÷85°C
- 47L04-I/P IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
- 47L04-I/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
- 47L04-I/ST IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; -40÷85°C
- 47L04T-I/SN IC: память SRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
- 47L16-I/P IC: память SRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
- 47L16-I/SN IC: память SRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
- 47L16-I/ST Память SRAM; 2048x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; -40÷85°C
- AS6C1008-55BIN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA36; параллельный
- AS6C1008-55BINTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA36; параллельный
- AS6C1008-55PCN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32; параллельный
- AS6C1008-55PIN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP32; параллельный
- AS6C1008-55SIN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32; параллельный
- AS6C1008-55SINL IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32; параллельный
- AS6C1008-55SINLTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32; параллельный
- AS6C1008-55SINTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP32; параллельный
- AS6C1008-55STIN IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32; параллельный
- AS6C1008-55STINL Память; SRAM, синхронная; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; STSOP32…
- AS6C1008-55STINLTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32; параллельный
- AS6C1008-55STINTR IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию