Ещё из раздела
- AS4C16M16SA-6BAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C16M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16SA-6TAN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C16M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C16M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-6TIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-6TINTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C16M16SB-7TCN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M16SB-7TCNTR IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C16M32MD1-5BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C1G8D3LA-10BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D3LA-10BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- AS4C1G8D4-75BIN IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1G8D4-75BINTR IC: память DRAM; 1Гx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; -40÷95°C
- AS4C1M16S-6TCNTR IC: память DRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- AS4C2M32D1A-5BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; 0÷70°C; бобина
- AS4C2M32D1A-5BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 2,5В; 200МГц; BGA144; -40÷85°C; бобина
- AS4C2M32S-6BINTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TFBGA90; -40÷85°C
- AS4C2M32S-7BCNTR IC: память DRAM; 2Mx32бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TFBGA90; 0÷70°C
- AS4C32M16D1-5BAN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C; лоток
- AS4C32M16D1-5BANTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; -40÷105°C; бобина
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
INFINEON TECHNOLOGIES
- 6292 шт. — 4 недели
- 20 шт. — 5 263 ₽
5 263 ₽
В корзину
Доступно 6 292 шт.
от 20 шт. и кратно 20
ROHM SEMICONDUCTOR
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 52 ₽
- 10 шт. — 49 ₽
- 25 шт. — 48 ₽
52 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
MICRON TECHNOLOGY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 13 402 ₽
- 10 шт. — 12 934 ₽
- 25 шт. — 12 749 ₽
13 402 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 11 349 ₽
- 10 шт. — 10 482 ₽
- 25 шт. — 10 142 ₽
11 349 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 438 ₽
- 10 шт. — 1 337 ₽
- 25 шт. — 1 297 ₽
1 438 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 26 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 16 123 ₽
- 10 шт. — 14 880 ₽
- 25 шт. — 14 393 ₽
16 123 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 26 шт. — 4 недели
- 3 шт. — 20 496 ₽
20 496 ₽
В корзину
Доступно 26 шт.
от 3 шт. и кратно 3
ALLIANCE MEMORY
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 5 729 ₽
- 10 шт. — 5 305 ₽
- 25 шт. — 5 138 ₽
5 729 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 793 ₽
- 10 шт. — 1 669 ₽
- 25 шт. — 1 617 ₽
1 793 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 058 ₽
- 10 шт. — 1 913 ₽
- 25 шт. — 1 854 ₽
2 058 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 423 ₽
- 10 шт. — 3 174 ₽
- 25 шт. — 3 074 ₽
3 423 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 25 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 681 ₽
- 10 шт. — 635 ₽
- 25 шт. — 617 ₽
681 ₽
В корзину
Доступно 25 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 24 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 616 ₽
- 10 шт. — 576 ₽
616 ₽
В корзину
Доступно 24 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 23 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 15 044 ₽
- 10 шт. — 13 888 ₽
15 044 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 23 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 857 ₽
- 10 шт. — 2 653 ₽
2 857 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.