Ещё из раздела
- N93C66BT3ETAG IC: память EEPROM; Microwire; 512x8/256x16бит; 1,7÷5,5В; 4МГц
- MX30LF4G28AC-TI/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- CAT24C04C4ATR IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP4
- 42S16100H-7TL IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- 42S16400J-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- M24C16-FMH6TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; UFDFPN5
- 42S32160F-7TLI-TR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 25LP040E-JNLA3-TR IC: память FLASH; 4Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8; бобина,лента
- 43DR81280C-25DBLI IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43LQ32256A-062BLI IC: DRAM memory; 256Mx16bitx2; 1.6GHz; TFBGA200; -40÷95°C
- CAT25040YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- 25WX064-JHLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; xSPI; 200МГц; 1,7÷2В; TFBGA24; бобина,лента
- 25LP512M-RHLA3 IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- 25WP016D-JBLA3-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 45S16160J-7TLA1-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- CAV93C66VE-GT3 IC: память EEPROM; Microwire; 512x8/256x16бит; 2,5÷5,5В; 2МГц
- N84C163WD42TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷6В; 400кГц; SOIC8
- 25LP064D-JLLE IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- NLP204836B166TQLI IC: SRAM memory; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- MX25U1635EZNI10GTR IC: память FLASH; 16Мб; QPI,SPI; 2Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- 25LP032D-JKLE-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- NV24C04MUW3VLTBG IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- MX25L51245GXDI-08G IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 166МГц; 2,7÷3,6В
- 42VM32160E-6BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию