Ещё из раздела
- M95160-DFMC6TG IC: память EEPROM; SPI; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 20МГц; UFDFPN8
- 43TR16640CL125JBLI IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1066МГц; 12,5нс; TWBGA96; -40÷95°C
- X25L51245GZ2I08GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 2,7÷3,6В
- M95512-DFMN6TP IC: память EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 1,7÷5,5В; 16МГц; SO8
- 42S32160F-7TLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- VPS25636A200TQLI IC: SRAM memory; 256kx36bit; 2.5V; 3.1ns; TQFP100; parallel
- WV102416DBLL10TLIT IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48; параллельный
- 42S86400F-7TL IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- MX25L25645GZ2I-10G IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В
- X25L25645GZNI08GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- MX25U51245GXDI00 IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- 25LP512M-JLLE IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 42S32800J-6TL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- WV10248EDBLL10BLA3 IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- NLP51236B200B3LITR IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; TFBGA165; parallel
- WV25616EDBLL10CTLA IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40÷125°C
- LP6432A133TQLITR IC: SRAM memory; 64kx32bit; 3.3V; 4ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- MX66L51235FXDI-10G IC: память FLASH; 512Мб; QPI,SPI; 64Мx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; BGA24
- 25LP128F-RHLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- 43TR16512BL-125KBL IC: память DRAM; 512Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 25LP032D-JTLA3-TR IC: память FLASH; 32Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- 43R16320F-6TLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 25WP128F-JBLA3-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 42S86400F-6TLI-TR IC: память DRAM; 16Mx8битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию