Ещё из раздела
- CAT24C08C5ATR IC: память EEPROM; I2C; 1024x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP5
- 45S32800J-6BLA1 IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷85°C
- MX25V16066M2I02/TR IC: память FLASH; 16Мб; SPI; 2Mx8бит; 80МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- 43DR16320E-3DBLI IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷85°C
- MX66U2G45GXRJ00TY IC: память FLASH; 2Гб; DTR,QPI,SPI; 256Мx8бит; 166МГц; 1,7÷2В
- X25L51245GXDI08GTR IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 64Мx8бит; 133МГц; 2,7÷3,6В
- WV25616EDBLL10BLAT IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 29GL128-70FLET-TR IC: память FLASH; CFI,parallel; 70нс; LFBGA64; параллельный
- LF12836A7.5B3LA3TR IC: SRAM memory; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TFBGA165; parallel
- 42S32160F-7TL-TR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; 0÷70°C
- 45S16320F-7BLA2 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TWBGA54; -40÷105°C
- MX25U25645GMI00 IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В
- WV10248EDBLL10CTLA IC: память SRAM; 1Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный
- 45S16800F-7CTLA2TR IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷105°C
- 43TR16128C125KBLIT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- MX25L6406EZ3I-12G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- MX29GL512GDXFI-11G IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- VVF409618B7.5TQL IC: SRAM memory; 4Mx18bit; 1.8V; 7.5ns; TQFP100; parallel; 0÷70°C
- 93C76C-E/MS IC: память EEPROM; Microwire; 4,5÷5,5В; MSOP8; последовательный
- MX29GL128FUXFI-11G IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- NV25M01DTUTG IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- NV25320DTHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 4Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- MX25U8033EBAI12GTR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 80МГц; 1,65÷2В; WLCSP8
- M24C16-FMC6TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; UFDFPN8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию