Ещё из раздела
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
- 4C64M32MD1-5BCNTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -25÷85°C
- 4C64M32MD1-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90; -40÷85°C
- 4C64M32MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 200МГц; FBGA90; -40÷85°C; бобина
- 4C64M8D3L-12BCNTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C64M8D3L-12BINTR IC: память DRAM; 64Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C8M32MD2A-25BCNTR IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C8M32MD2A-25BPCN IC: память DRAM; 8Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; -25÷85°C; лоток
- 62WVS2568FBLL20NLI IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,2÷3,6В; SO8; -40÷85°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 497 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 206 ₽
- 25 шт. — 202 ₽
206 ₽
В корзину
Доступно 497 шт.
ALLIANCE MEMORY
- 101 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 8 683 ₽
- 10 шт. — 8 031 ₽
- 25 шт. — 7 774 ₽
- 50 шт. — 7 581 ₽
8 683 ₽
В корзину
Доступно 101 шт.
- 101 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 038 ₽
- 10 шт. — 1 894 ₽
- 21 шт. — 1 834 ₽
- 42 шт. — 1 791 ₽
2 038 ₽
В корзину
Доступно 101 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 101 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 445 ₽
- 25 шт. — 435 ₽
445 ₽
В корзину
Доступно 101 шт.
- 101 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 457 ₽
- 10 шт. — 1 354 ₽
- 25 шт. — 1 313 ₽
- 50 шт. — 1 282 ₽
- 100 шт. — 1 252 ₽
1 457 ₽
В корзину
Доступно 101 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 100 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 107 ₽
- 25 шт. — 106 ₽
107 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 100 шт. — 4 недели
- 25 шт. — 576 ₽
- 30 шт. — 469 ₽
- 50 шт. — 447 ₽
- 100 шт. — 432 ₽
576 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
от 25 шт. и кратно 25
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 100 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 63 ₽
- 25 шт. — 61 ₽
- 100 шт. — 61 ₽
63 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 100 шт. — 4 недели
- 85 шт. — 128 ₽
- 100 шт. — 112 ₽
128 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
от 85 шт. и кратно 85
ROHM SEMICONDUCTOR
- 100 шт. — 4 недели
- 75 шт. — 189 ₽
- 100 шт. — 172 ₽
189 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
от 75 шт. и кратно 75
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 100 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 508 ₽
- 25 шт. — 486 ₽
508 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
- 99 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 926 ₽
- 10 шт. — 1 788 ₽
- 25 шт. — 1 682 ₽
- 40 шт. — 1 618 ₽
- 50 шт. — 1 597 ₽
1 926 ₽
В корзину
Доступно 99 шт.
- 98 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 660 ₽
- 10 шт. — 614 ₽
- 25 шт. — 596 ₽
- 50 шт. — 584 ₽
- 90 шт. — 569 ₽
660 ₽
В корзину
Доступно 98 шт.