Ещё из раздела
- 4C256M16D3LC-10BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC10BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC10BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,91нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BANT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D3LC12BCNT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D3LC12BIN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C256M16D3LC12BINT IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-75BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-75BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16D4-83BCNTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C256M16D4-83BINTR IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA96; бобина
- 4C256M16MD4-062BAN IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C
- 4C256M32MD4-062BAN IC: память DRAM; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс; -40÷105°C; лоток
- 4C256M8D2-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D2-25BINTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; -40÷95°C
- 4C256M8D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60; 0÷85°C
- 4C256M8D3LC-12BAN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC-12BCN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C256M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C256M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C256M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
- 115 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 304 ₽
- 10 шт. — 286 ₽
- 25 шт. — 276 ₽
- 50 шт. — 271 ₽
- 100 шт. — 266 ₽
304 ₽
В корзину
Доступно 115 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 115 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 569 ₽
- 10 шт. — 533 ₽
- 25 шт. — 517 ₽
- 50 шт. — 506 ₽
- 100 шт. — 493 ₽
569 ₽
В корзину
Доступно 115 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 115 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 74 ₽
- 25 шт. — 69 ₽
- 100 шт. — 68 ₽
74 ₽
В корзину
Доступно 115 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 114 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 446 ₽
- 25 шт. — 410 ₽
446 ₽
В корзину
Доступно 114 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 114 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 155 ₽
- 25 шт. — 152 ₽
155 ₽
В корзину
Доступно 114 шт.
- 113 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 637 ₽
- 10 шт. — 1 523 ₽
- 25 шт. — 1 476 ₽
- 50 шт. — 1 442 ₽
- 100 шт. — 1 408 ₽
1 637 ₽
В корзину
Доступно 113 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 113 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 177 ₽
- 25 шт. — 171 ₽
177 ₽
В корзину
Доступно 113 шт.
- 113 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 664 ₽
- 16 шт. — 2 433 ₽
- 32 шт. — 2 375 ₽
- 64 шт. — 2 318 ₽
- 112 шт. — 2 271 ₽
2 664 ₽
В корзину
Доступно 113 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 113 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 510 ₽
- 19 шт. — 2 281 ₽
- 38 шт. — 2 227 ₽
- 57 шт. — 2 195 ₽
2 510 ₽
В корзину
Доступно 113 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 112 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 168 ₽
- 25 шт. — 163 ₽
- 100 шт. — 157 ₽
168 ₽
В корзину
Доступно 112 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 112 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 389 ₽
- 10 шт. — 363 ₽
- 25 шт. — 353 ₽
- 81 шт. — 339 ₽
389 ₽
В корзину
Доступно 112 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 111 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 128 ₽
- 25 шт. — 124 ₽
128 ₽
В корзину
Доступно 111 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 110 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 78 ₽
- 25 шт. — 76 ₽
- 100 шт. — 74 ₽
78 ₽
В корзину
Доступно 110 шт.