Ещё из раздела
- AS4C8M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 8Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 6нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C64M8SC-7TIN IC: память DRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II; -40÷85°C; лоток
- AS4C64M32MD2A25BIN IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,8В; 400МГц; FBGA134; -40÷85°C; лоток
- AS4C64M16MD2A25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- AS4C64M16D3LB-12BC IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷70°C
- AS4C4M32MSA-6BINTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C4M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C32M32MD2A25BIN IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- AS4C32M16SC-7TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M16SC-7TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16MSA-6BINT IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C32M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M32SC-7TINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; TSOP86 II
- AS4C16M32SC-7TIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; TSOP86 II; лоток
- AS4C16M32MSA-6BINT IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C16M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C16M16MSA-6BINT IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS1C8M16PL-70BINTR IC: память SRAM; 4Mx16битx2; 1,7÷1,95В; 70нс; FBGA49; параллельный
- AS1C8M16PL-70BIN IC: память SRAM; 4Mx16битx2; 1,7÷1,95В; 70нс; FBGA49; параллельный
- AS1C512K16PL70BINT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; FPBGA48
- AS1C512K16PL-70BIN IC: память SRAM; 512Кx16бит; 1,7÷1,95В; 70нс; FPBGA48
- AS1C512K16P-70BINT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48; параллельный
- AS1C512K16P-70BIN IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,6÷3,3В; 70нс; FPBGA48; параллельный
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 543 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 137 ₽
- 25 шт. — 130 ₽
- 100 шт. — 126 ₽
137 ₽
В корзину
Доступно 543 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 543 шт. — 4 недели
- 60 шт. — 911 ₽
911 ₽
В корзину
Доступно 543 шт.
от 60 шт. и кратно 60
- 541 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 663 ₽
- 10 шт. — 619 ₽
- 25 шт. — 601 ₽
- 50 шт. — 588 ₽
- 100 шт. — 574 ₽
663 ₽
В корзину
Доступно 541 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 540 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 67 ₽
- 25 шт. — 65 ₽
- 100 шт. — 61 ₽
67 ₽
В корзину
Доступно 540 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 540 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 136 ₽
- 10 шт. — 135 ₽
136 ₽
В корзину
Доступно 540 шт.
- 540 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 237 ₽
- 10 шт. — 201 ₽
- 50 шт. — 180 ₽
- 250 шт. — 166 ₽
237 ₽
В корзину
Доступно 540 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 538 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 183 ₽
- 25 шт. — 179 ₽
- 100 шт. — 168 ₽
183 ₽
В корзину
Доступно 538 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 537 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 101 ₽
- 25 шт. — 99 ₽
- 100 шт. — 96 ₽
101 ₽
В корзину
Доступно 537 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 535 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 370 ₽
- 25 шт. — 340 ₽
370 ₽
В корзину
Доступно 535 шт.
INFINEON (CYPRESS)
- 533 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 3 594 ₽
- 10 шт. — 3 334 ₽
- 25 шт. — 3 229 ₽
- 50 шт. — 3 150 ₽
- 100 шт. — 3 071 ₽
3 594 ₽
В корзину
Доступно 533 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 532 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 145 ₽
- 25 шт. — 142 ₽
145 ₽
В корзину
Доступно 532 шт.
- 531 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 457 ₽
- 10 шт. — 1 354 ₽
- 25 шт. — 1 313 ₽
- 50 шт. — 1 282 ₽
- 100 шт. — 1 252 ₽
1 457 ₽
В корзину
Доступно 531 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 529 шт. — 4 недели
- 74 шт. — 191 ₽
- 100 шт. — 177 ₽
- 300 шт. — 166 ₽
- 500 шт. — 148 ₽
191 ₽
В корзину
Доступно 529 шт.
от 74 шт. и кратно 74
- 528 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 084 ₽
- 10 шт. — 1 937 ₽
- 25 шт. — 1 878 ₽
- 50 шт. — 1 832 ₽
- 100 шт. — 1 747 ₽
2 084 ₽
В корзину
Доступно 528 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 528 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 117 ₽
- 25 шт. — 116 ₽
- 100 шт. — 108 ₽
117 ₽
В корзину
Доступно 528 шт.