Ещё из раздела
- 4C512M8D3LC-12BIN IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; лоток
- 4C512M8D3LC12BANTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D3LC12BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D3LC12BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-75BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-75BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA78; бобина
- 4C512M8D4-83BCNTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; 0÷95°C
- 4C512M8D4-83BINTR IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78; -40÷95°C
- 4C64M16D1A-6BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; FBGA60; -40÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; 0÷95°C; бобина
- 4C64M16D1A-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; TSOP66 II; -40÷95°C
- 4C64M16D2A-25BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
- 4C64M16D2A-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D2A-25BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷95°C
- 4C64M16D2B-25BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷85°C
- 4C64M16D3B-12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3B-12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3B-12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; -40÷85°C
- 4C64M16D3LB-12BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; лоток
- 4C64M16D3LB12BANTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16D3LB12BCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷95°C
- 4C64M16D3LB12BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; бобина
- 4C64M16MD1A-5BINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA60; -40÷85°C
- 4C64M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; лоток
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 543 шт. — 4 недели
- 60 шт. — 893 ₽
893 ₽
В корзину
Доступно 543 шт.
от 60 шт. и кратно 60
MACRONIX INTERNATIONAL
- 541 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 178 ₽
- 250 шт. — 104 ₽
178 ₽
В корзину
Доступно 541 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 540 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 133 ₽
- 10 шт. — 132 ₽
133 ₽
В корзину
Доступно 540 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 538 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 179 ₽
- 25 шт. — 175 ₽
- 100 шт. — 165 ₽
179 ₽
В корзину
Доступно 538 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 537 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 99 ₽
- 25 шт. — 97 ₽
- 100 шт. — 94 ₽
99 ₽
В корзину
Доступно 537 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 535 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 363 ₽
- 25 шт. — 333 ₽
363 ₽
В корзину
Доступно 535 шт.
- 534 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 428 ₽
- 10 шт. — 1 328 ₽
- 25 шт. — 1 288 ₽
- 50 шт. — 1 257 ₽
- 100 шт. — 1 227 ₽
1 428 ₽
В корзину
Доступно 534 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 532 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 142 ₽
- 25 шт. — 139 ₽
142 ₽
В корзину
Доступно 532 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 529 шт. — 4 недели
- 74 шт. — 187 ₽
- 100 шт. — 172 ₽
- 300 шт. — 162 ₽
- 500 шт. — 143 ₽
187 ₽
В корзину
Доступно 529 шт.
от 74 шт. и кратно 74
- 528 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 2 043 ₽
- 10 шт. — 1 899 ₽
- 25 шт. — 1 841 ₽
- 50 шт. — 1 797 ₽
- 100 шт. — 1 713 ₽
2 043 ₽
В корзину
Доступно 528 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 528 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 140 ₽
- 25 шт. — 135 ₽
- 100 шт. — 134 ₽
140 ₽
В корзину
Доступно 528 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 528 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 115 ₽
- 25 шт. — 113 ₽
- 100 шт. — 106 ₽
115 ₽
В корзину
Доступно 528 шт.
MICROCHIP TECHNOLOGY
- 523 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 159 ₽
- 25 шт. — 156 ₽
159 ₽
В корзину
Доступно 523 шт.