ZXMN3B04N8TA

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 500
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    ZXMN3B04N8TA
  • Производитель
    DIODES INCORPORATED
Вы можете запросить у нас любое количество ZXMN3B04N8TA, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

ZXMN3B04N8TA описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 8.9A; 2W; SO8

  • Производитель
    DIODES INCORPORATED
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    23,1нC
  • Ток стока
    8,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    25мОм
  • Вес
    0.12g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация