WM02DN08T

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
Вы можете запросить у нас любое количество WM02DN08T, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

WM02DN08T-CYG описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563

  • Производитель
    WAYON
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT563
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    0,27Вт
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    tape
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    1,1нC
  • Ток стока
    0,8А
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,25Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±10V
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация