TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 563 шт
Количество Цена
1 537 ₽
10 320 ₽
100 235 ₽
500 200 ₽
1000 191 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+28 баллов
TJ60S06M3L(T6L1,NQ от 191 рублей в наличии 563 шт производства TOSHIBA, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

TJ60S06M3L описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK

  • Производитель
    TOSHIBA
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Рассеиваемая мощность
    100Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    156нC
  • Ток стока
    -60А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    14,5мОм
  • Напряжение затвор-исток
    -20...10В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -120А
  • Вес
    0.33g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация