Каталог товаров

SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2481 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 242
10 152
50 118
250 94
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 481 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SUD09P10-195-GE3

Производитель

Видео

Техническое описание

Купить SUD09P10-195-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SUD09P10-195-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,8А; Idm: -15А; 32,1Вт; DPAK

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Корпус TO252
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 32,1Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 34,8нC
Выбрано: Показать
Ток стока -8,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,195Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -15А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти