STP18N60M2

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 39 шт
Количество Цена
1 553 ₽
5 452 ₽
10 375 ₽
25 270 ₽
50 262 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+39 баллов
STP18N60M2 от 262 рублей в наличии 39 шт производства STMicroelectronics, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

STP18N60M2 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; полевой; 650В; 8А; Idm: 52А

  • Производитель
    STMicroelectronics
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO220-3
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    110Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    MDmesh™ || Plus
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,28Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±25В
  • Ток стока в импульсном режиме
    52А
  • Gate-source voltage
    ±25V
  • Вес
    1.95g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация