SQS660CENW-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 9935 шт
Количество Цена
1 1 567 ₽
10 297 ₽
100 123 ₽
500 89 ₽
3000 72 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+10 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQS660CENW-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQS660CENW-T1_GE3 от 72 рублей в наличии 9935 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQS660CENW-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    62,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    17,4нC
  • Ток стока
    18А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    11,2мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    72А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.095g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация