SQJQ510E-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 825 шт
Количество Цена
1 2 220 ₽
10 738 ₽
100 444 ₽
500 377 ₽
2000 311 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+46 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJQ510E-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJQ510E-T1_GE3 от 311 рублей в наличии 825 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJQ510E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 165А; Idm: 793А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 8x8L
  • Рассеиваемая мощность
    348Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    86нC
  • Ток стока
    165А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,86мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    793А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.15g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация