SQJQ186E-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1782 шт
Количество Цена
1 2 028 ₽
10 608 ₽
100 348 ₽
500 278 ₽
2000 237 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+35 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJQ186E-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJQ186E-T1_GE3 от 237 рублей в наличии 1782 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJQ186E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 141А; Idm: 770А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 8x8L
  • Рассеиваемая мощность
    357Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    123нC
  • Ток стока
    141А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,9мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    770А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация