SQJQ116EL-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1928 шт
Количество Цена
1 1 813 ₽
10 459 ₽
100 238 ₽
500 183 ₽
2000 155 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+23 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJQ116EL-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJQ116EL-T1_GE3 от 155 рублей в наличии 1928 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJQ116EL-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 212А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    91Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    70нC
  • Ток стока
    35А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9,2мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    212А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.16g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация