SQJQ100E-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 8753 шт
Количество Цена
1 2 093 ₽
10 652 ₽
100 380 ₽
500 311 ₽
2000 262 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+39 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJQ100E-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJQ100E-T1_GE3 от 262 рублей в наличии 8753 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJQ100E-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; 150Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    150Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    0,22мкC
  • Ток стока
    200А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,9мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.14g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация