SQJ457EP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 42712 шт
Количество Цена
1 1 601 ₽
10 319 ₽
100 139 ₽
1000 100 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+15 баллов
SQJ457EP-T1_GE3 от 100 рублей в наличии 42712 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJ457EP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -36А; Idm: -100А; 22Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    22Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    0,1мкC
  • Ток стока
    -36А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    50,4мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -100А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация