SQJ446EP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 3000
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SQJ446EP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SQJ446EP-T1_GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SQJ446EP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 35А; Idm: 200А; 46Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    46Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    48нC
  • Ток стока
    35А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,7мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.17g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация