SQJ410EP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 25493 шт
Количество Цена
1 647 ₽
10 420 ₽
100 290 ₽
500 242 ₽
1000 236 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+35 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJ410EP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJ410EP-T1_GE3 от 236 рублей в наличии 25493 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJ410EP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; 83Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    83Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    110нC
  • Ток стока
    32А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,5мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.16g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация