SQD40N10-25_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1868 шт
Количество Цена
1 1 389 ₽
10 937 ₽
50 744 ₽
100 682 ₽
500 651 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+97 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQD40N10-25-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQD40N10-25_GE3 от 651 рублей в наличии 1868 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQD40N10-25-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 26А; Idm: 160А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    136Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    70нC
  • Ток стока
    26А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    25мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    160А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.33g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация