SQD30N05-20L_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3168 шт
Количество Цена
1 1 730 ₽
10 407 ₽
50 236 ₽
100 201 ₽
500 153 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+22 балла
SQD30N05-20L_GE3 от 153 рублей в наличии 3168 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQD30N05-20L-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    50Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18нC
  • Ток стока
    30А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    55В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    43мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    120А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация