SQD10N30-330H_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4705 шт
Количество Цена
1 433 ₽
10 277 ₽
50 210 ₽
100 188 ₽
500 150 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+22 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQD10N30-330H-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQD10N30-330H_GE3 от 150 рублей в наличии 4705 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQD10N30-330H-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 300В; 5А; Idm: 16А; 107Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Корпус
    TO252
  • Рассеиваемая мощность
    107Вт
  • Полярность
    полевой
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    31нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    300В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,33Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    16А
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    0.34g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация