SQ1912AEEH-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 107759 шт
Количество Цена
1 162 ₽
50 74 ₽
500 50 ₽
9000 33.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQ1912AEEH-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQ1912AEEH-T1-GE3 от 33.6 рублей в наличии 107759 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQ1912AEEH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 0,8А; Idm: 3А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70-6
  • Корпус
    SOT363
  • Рассеиваемая мощность
    1,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    1,25нC
  • Ток стока
    0,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,2Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±12В
  • Вес
    0.018g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация