SIZF640DT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4505 шт
Количество Цена
1 2 102 ₽
10 659 ₽
100 386 ₽
500 317 ₽
3000 257 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+38 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIZF640DT-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIZF640DT-T1-GE3 от 257 рублей в наличии 4505 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIZF640DT-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 127А; Idm: 300А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAIR® 6x5
  • Рассеиваемая мощность
    62,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Конструкция диода
    асимметричная
  • Технология
    TrenchFET®
  • Ток стока
    127А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,37мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    300А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Вес
    0.074g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация