SIZ998DT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 13208 шт
Количество Цена
1 1 770 ₽
10 431 ₽
100 218 ₽
500 167 ₽
3000 134 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+20 баллов
SIZ998DT-T1-GE3 от 134 рублей в наличии 13208 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIZ998DT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAIR® 3x3
  • Рассеиваемая мощность
    20,2/32,9Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18/44,3нC
  • Ток стока
    20/60А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2 + Schottky
  • Сопротивление в открытом состоянии
    10/3,8мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    90...130А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация