SIZ710DT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 57 шт
Количество Цена
1 413 ₽
10 263 ₽
100 177 ₽
1000 141 ₽
6000 115 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIZ710DT-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIZ710DT-T1-GE3 от 115 рублей в наличии 57 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIZ710DT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAIR® 3x3
  • Рассеиваемая мощность
    27/48Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18/60нC
  • Ток стока
    16/35А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9/4,3мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    70...100А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация