SIZ300DT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIZ300DT-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIZ300DT-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIZ300DT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    22/12нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    28/11А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    16,5/32мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    40...30А
  • Корпус
    PowerPAIR® 3x3
  • Рассеиваемая мощность
    31/16,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация